在深海資源勘探、航空航天推進系統(tǒng)、能源化工裝備等尖端工程領域，高壓極端環(huán)境下的液滴動力學行為是制約系統(tǒng)效能與安全性的核心科學問題。尤其在深海裝備液壓傳動、航天器燃料霧化噴射、超臨界化工反應器等場景中，液滴常需在極端壓力環(huán)境中發(fā)生撞擊、聚并或相變，其動態(tài)特性直接關聯系統(tǒng)效率與可靠性。然而，傳統(tǒng)實驗技術因高壓密閉環(huán)境可視化困難、傳感器耐受性不足等問題，對超過100bar（約100倍大氣壓）環(huán)境中液滴撞擊超疏水表面的動力學認知存在顯著局限。
基于此，慕尼黑工業(yè)大學的研究團隊首次突破高壓液滴動力學研究的技術壁壘，在低韋伯數（We=5–10）條件下實現了高達200 bar環(huán)境壓力的液滴撞擊實驗，不僅填補了高壓流體動力學的理論缺口，更推動了超疏水表面的優(yōu)化設計。相關研究以"Droplet Impact on Superhydrophobic Surfaces Under High Pressures"發(fā)表在國際學術期刊《Small Methods》上。
研究團隊使用摩方精密超高精度微納3D打印系統(tǒng)：microArch? S230 （光學精度：2微米），成功制備了多種不同潤濕性基底（微柱寬度20 μm，高度80 μm），通過精準調控微柱間距（40–80 μm范圍）實現潤濕性梯度設計。摩方精密作為全球最先將微納3D打印精度精確到2 μm，并實現工業(yè)化應用的企業(yè)，其面投影微立體光刻（PμSL）技術為高壓液滴動力學研究提供了關鍵技術支持。
圖1. 本研究的實驗方法。
通過實驗系統(tǒng)探究了環(huán)境壓力與基底結構對超疏水基底上液滴撞擊動力學的影響，研究識別出高壓液滴撞擊的四類典型流態(tài)——無反彈伴氣體夾帶（I）、反彈伴衛(wèi)星液滴殘留與氣體夾帶（II）、反彈僅伴氣體夾帶（III）以及完全反彈（IV）。液滴反彈能力隨環(huán)境壓力升高而顯著增強，當壓力≥175 bar時，所有基底均實現完全反彈（IV區(qū)），但流態(tài)轉變同時受環(huán)境壓力與基底拓撲結構的協(xié)同調控。
對于結構化超疏水基底，流態(tài)隨壓力升高從I區(qū)穩(wěn)定過渡至IV區(qū)；而光滑基底在任何壓力下均僅表現為無反彈狀態(tài)（I區(qū)）。此外，相同壓力下，增大微柱間距（即降低固體占比）會導致衛(wèi)星液滴殘留量顯著增加。通過引入修正的水錘系數，流體動力撞擊模型成功解釋了衛(wèi)星液滴消失的機制——微柱間距減小增強了基底產生的毛細效應，從而抑制了衛(wèi)星液滴形成。此項工作將液滴撞擊研究拓展至200 bar高壓領域，對深海分離、高壓霧化等應用具有重要價值。
圖2. 在不同環(huán)境壓力（1個大氣壓、50 bar、100 bar、175 bar和200 bar）下，微柱間距為70 μm的微柱基底上液滴撞擊的延時圖像顯示，隨著環(huán)境壓力的增加，衛(wèi)星液滴和氣體夾帶現象逐漸消失。
圖3. 在初始壓力50 bar和韋伯數We=6.5的條件下，液滴撞擊光滑表面及不同微柱基底的延時圖像，揭示了不同的拓撲效應。
摩方全新升級的microArch? S230A 3D打印系統(tǒng)，集成了先進的自動化水平調節(jié)系統(tǒng)，并搭載高精密運動控制系統(tǒng)，顯著提升了打印準備效率和整體易用性。該系統(tǒng)通過氣浮平臺與激光測距模塊協(xié)同工作，充分保障了復雜異形微結構的一次成型精度與質量。此外，液槽加熱系統(tǒng)突破了地域環(huán)境對材料選擇的限制，能夠兼容包括高粘度工程樹脂、生物相容性樹脂、耐高溫樹脂、陶瓷漿料（如氧化鋯/氧化鋁）以及高精度水凝膠在內的多種材料，廣泛支持實驗室原型開發(fā)的全流程需求。
摩方精密作為全球領先的高精度增材制造技術解決方案提供商，不僅深度服務于科學研究領域，更與全球約2800家客戶建立了合作關系，覆蓋美國、日本、德國等40個國家，其中包括眾多頂尖科研機構和知名工業(yè)企業(yè)，彰顯了其技術服務的廣泛影響力。在科研支持方面，摩方精密的技術已成為眾多前沿研究的重要工具，相關研究成果被大量發(fā)表在包括Science、Nature等國際頂級學術期刊及其子刊上，體現了摩方技術支撐科研工作的高質量與創(chuàng)新性。
隨著微納3D打印技術的不斷發(fā)展，摩方將繼續(xù)以顛覆性技術創(chuàng)新為核心驅動，與全球科研工作者及產業(yè)伙伴攜手共進，致力于攻克更多前沿科學難題，推動精密制造邁向微納尺度、多材料4D打印、高良品率與跨尺度集成的戰(zhàn)略方向，為構建全球高端制造新生態(tài)提供關鍵技術支持。
